Modul IGBT original Infineon BSM50GP120 1200V 50A

BSM50GP120 este un modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de înaltă performanță, conceput pentru utilizare în aplicații electronice de putere industriale. Cu o tensiune nominală de 1200V și o capacitate de curent continuu de 50A, este ideal pentru aplicații de înaltă eficiență și comutare rapidă. Acest modul dispune de diode freewheeling integrate și este găzduit într-o capsulă SEMITRANS robustă, care permite montarea ușoară pe radiatoare. Cazurile de utilizare tipice includ acționări pentru motoare de curent alternativ, invertoare solare, sisteme UPS și mașini de sudură. Fiabilitatea sa ridicată și caracteristicile termice excelente îl fac potrivit pentru medii solicitante.

Specificații tehnice de bază

Aplicații tipice

• Acționări motor de curent alternativ
• Invertoare solare
• Surse de alimentare neîntreruptibile (UPS)
• Aparate de sudură
• Robotică și automatizare

Avantaje

• Capacitate mare de gestionare a curentului
• Toleranță la tensiune ridicată (până la 1200V)
• Design compact al modulului
• Montare ușoară pe radiatoare
• Performanță termică excelentă