MGW12N120 IGBT – Tranzistor bipolar cu poartă izolată de înaltă tensiune pentru comutarea puterii

Cel/Cea/Cei/CeleMGW12N120este robustTranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT)Conceput pentru aplicații de comutare a puterii la înaltă tensiune și curent ridicat. Acesta combină capacitatea de comutare rapidă a unui MOSFET cu curentul ridicat și tensiunea de saturație scăzută a unui tranzistor bipolar.

⚙️ Caracteristici cheie

• 🔋 Tensiune colector-emitor (VCES): 1200V
• ⚡ Curent de colector (IC): 12A
• 📦 Pachet TO-247 pentru o gestionare termică excelentă
• ⏱️ Viteză mare de comutare, potrivită pentru controlul invertorului și al motorului
• 🌡️ Eficiență ridicată cu pierderi de conducție reduse

📦 Aplicații tipice

• ⚙️ Acționări pentru motoare industriale
• 🔌 Invertoare și convertoare de putere
• 💡 Sisteme de energie regenerabilă
• 🛠️ Circuite de comutare de mare putere

IGBT-ul MGW12N120 este ideal pentru electronica de putere solicitantă care necesită gestionarea tensiunii și curentului ridicat cu performanțe eficiente de comutare.