
MGW12N120 IGBT - Tranzistor Bipolar cu Poartă Izolată de Înaltă Tensiune
7.01RON
- Stoc: În Stoc
- Model: A1269.MGW12N120
Comenzile dvs. plasate până la ora 16:30 în zilele lucrătoare sunt expediate în aceeași zi.
MGW12N120 IGBT – Tranzistor bipolar cu poartă izolată de înaltă tensiune pentru comutarea puterii
Cel/Cea/Cei/CeleMGW12N120este robustTranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT)Conceput pentru aplicații de comutare a puterii la înaltă tensiune și curent ridicat. Acesta combină capacitatea de comutare rapidă a unui MOSFET cu curentul ridicat și tensiunea de saturație scăzută a unui tranzistor bipolar.
⚙️ Caracteristici cheie
- 🔋 Tensiune colector-emitor (VCES): 1200V
- ⚡ Curent de colector (IC): 12A
- 📦 Pachet TO-247 pentru o gestionare termică excelentă
- ⏱️ Viteză mare de comutare, potrivită pentru controlul invertorului și al motorului
- 🌡️ Eficiență ridicată cu pierderi de conducție reduse
📦 Aplicații tipice
- ⚙️ Acționări pentru motoare industriale
- 🔌 Invertoare și convertoare de putere
- 💡 Sisteme de energie regenerabilă
- 🛠️ Circuite de comutare de mare putere
IGBT-ul MGW12N120 este ideal pentru electronica de putere solicitantă care necesită gestionarea tensiunii și curentului ridicat cu performanțe eficiente de comutare.